开关型发生器的发展其实与开关型电源的发展息息相关,而开关型电源发展又电力电子开关器件的发展紧密相连,电力电子开关器件的发展过程如下:

第一种是用双机开关晶体管（双机型开关晶体管）作为开关电源的开关管，它的主要缺点是由于双极开关管的上升、下降时延较大，开关频率不能太高，线路成熟、价格低，在开关电源场合还有很多应用，但在超声波发生器中由于开关频率低，没有太大的应用。

第二种是用VDMOS管（垂直沟道MOS管，或称功率MOS管），VDMOS管也有几代的发展，其主要优点是：开关频率高，驱动简单，抗击穿性好，缺点是耐高压的器件，导致电阻大，在高压大电流场合功耗较大，因此大功率（1500W以上）有些困难，但随着VDMOS工艺不段改进，输出功率也越来越大，在超声波中可以用于100KHZ以上的发生器。

第三种是IGBT（隔离栅双极管），是一种MOS与双极管结合的产物，既有MOS管开关频率高，驱动简单等优点，也有双极管导通压降小，耐压高等优点。它的开关频率日前可以在40~50KHZ，功率可以达到5000W，在一般超声波发生器中可以很少的运用，它的价格较高，保护线路要求复杂。