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开关型发生器发展的几个阶段
2019-05-22 02:18
开关型发生器的发展其实与开关型电源的发展息息相关,而开关型电源发展又电力电子开关器件的发展紧密相连,电力电子开关器件的发展过程如下:
第一种是用双机开关晶体管(双机型开关晶体管)作为开关电源的开关管,它的主要缺点是由于双极开关管的上升、下降时延较大,开关频率不能太高,线路成熟、价格低,在开关电源场合还有很多应用,但在超声波发生器中由于开关频率低,没有太大的应用。
第二种是用VDMOS管(垂直沟道MOS管,或称功率MOS管),VDMOS管也有几代的发展,其主要优点是:开关频率高,驱动简单,抗击穿性好,缺点是耐高压的器件,导致电阻大,在高压大电流场合功耗较大,因此大功率(1500W以上)有些困难,但随着VDMOS工艺不段改进,输出功率也越来越大,在超声波中可以用于100KHZ以上的发生器。
第三种是IGBT(隔离栅双极管),是一种MOS与双极管结合的产物,既有MOS管开关频率高,驱动简单等优点,也有双极管导通压降小,耐压高等优点。它的开关频率日前可以在40~50KHZ,功率可以达到5000W,在一般超声波发生器中可以很少的运用,它的价格较高,保护线路要求复杂。
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